實現(xiàn)壓力溫度集成測量主要有四種實現(xiàn)方案，集成電路芯片帶溫度測量方式，硅微集成方式，組合方式，薄膜集成方式。

集成電路帶溫度測量方式實際上是一個壓力傳感器，在壓力傳感器的調(diào)理電路中，采用了一個帶有溫度傳感器的集成電路芯片，通過調(diào)理芯片對環(huán)境溫度進行測量。這種測量方式只能測量整個產(chǎn)品所處環(huán)境的溫度，不能準確反應引壓端介質(zhì)的溫度，響應也慢，測量精度一般比較低，只是給壓力傳感器提供一個溫度補償參考。

硅微集成方式主要是將測壓與測溫的敏感件在同一硅杯上集成，利用壓阻式或電容式測量壓力，采用半導體二極管測量溫度，這種產(chǎn)品國內(nèi)還處于研制階段。國外有日本的壓阻式集成傳感器，主要是針對汽車傳感器研制的，在抗環(huán)境性能方面不適合軍用需求。

組合方式是利用不同的測溫與測壓原理，將兩種傳感器在結構上的集成。有的通過兩個接口連接，采用熱電偶、熱電阻測溫，采用壓阻或應變測量壓力，輸出信號再接處理電路，處理電路與測量點分開，這種方式的集成度不高，結構不緊湊。有的只有一個接口，采用壓阻式測壓，在結構上內(nèi)置一個熱電偶或鉑電阻溫度傳感器伸入到測量介質(zhì)中，具有代表性的是美國kulite公司的溫度壓力集成傳感器產(chǎn)品。這種產(chǎn)品采用的是鉑電阻溫度傳感器，輸出標準電阻值。產(chǎn)品主要用于宇航與汽車，但受封裝的影響，最高量程只能做到20MPa左右。

薄膜集成方式是采用濺射鍍膜方式制作測壓應變合金橋路和熱電阻，對溫度和壓力進行測量。這種集成方式結構有兩種實現(xiàn)形式，一種是熱電阻與合金電阻單獨制作，通過焊接方式進行組合，將測溫熱電阻伸入到介質(zhì)點，這種方式能快速響應溫度，但對封裝的要求高，承壓能力也有限。另一種方式是將熱電阻與合金電阻在芯片的同一層上分區(qū)域濺射，這樣，壓力傳感器與溫度傳感器形成“一體”，在抗振動、沖擊能力強，可靠性高。但通過彈性膜片傳熱測溫，在響應時間上做不到快速響應。

薄膜傳感器的彈性敏感材料由耐腐蝕不銹鋼制成，可直接與腐蝕性介質(zhì)接觸。薄膜壓力傳感器的敏感電阻是合金材料，受溫度的影響極小，在-100℃～+300℃范圍內(nèi)的溫度漂移小于50ppm/℃。通過先進的離子束鍍膜技術，制備的薄膜熱電阻，能在中、低溫區(qū)準確測量。通過離子濺射與離子刻蝕，將熱電阻與應變電阻制備在同一芯片上，實現(xiàn)壓力、溫度傳感器的集成。這種一體化傳感器通過一個接口測量兩種參數(shù)，信號互不干擾，輸出標準的信號，無需外接儀表，測量精度高，性能優(yōu)越，是軍用溫度壓力傳感器的發(fā)展方向。本文源自澤天傳感，版權所有，轉(zhuǎn)載請保留出處。